内容简介

在这本对研究生和实践专业人士非常有价值的资源中，Tu和Liu全面介绍了电迁移，并提供了一个实用指南，讲述了如何在微电子设备中管理其效应，特别是在使用3D架构的较新设备中。在大数据和人工智能的时代，下一代微电子设备需要比以往更小、耗电更少、成本更低，并且最重要的是，具有更高的功能性和可靠性。然而，随着微型化，平均电流密度增加，电迁移故障的可能性也随之增加。本书涵盖了电迁移的所有关键元素，包括基本理论、电迁移引起的各种故障模式、预防故障的方法以及预测平均故障时间的方程。此外，还讨论了应力、焦耳热、电流拥挤和氧化对电迁移的影响，并提供了基于低熵产生的新的和修改后的平均故障时间方程。读者将能够将这些信息应用于微电子设备的设计和应用中，以最小化微电子设备中电迁移引起的故障风险。

这本书对于任何想要理解这些关键元素并最小化其影响的人都是必需的。它对电气工程和材料科学工程的研究生以及在半导体和电子封装技术行业工作的工程师特别有价值。
 

目录

引言

电迁移的驱动力

电迁移的动力学

电迁移的损伤

不可逆过程

应力对电迁移的影响

电流拥挤对电迁移的影响

焦耳热对电迁移的影响

氧化作用对电迁移的影响

修改后的平均故障时间方程