内容简介

     本书研究了GeO2/Ge系统中的反应动力学，旨在展示GeO2/Ge 界面的基本原理，帮助读者深入了解Ge（锗）应用于先进互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件的独特特征和性能。
 
     本书首先回顾了MOS技术的发展，并讨论了新兴Ge的潜力以及它作为一种曾经有望取代Si（硅）用作先进节点且富有争议的沟道材料所面临的挑战。该研究系统分析了可以阐明系统特性和反应原理的GeO2/Ge叠层的几个方面：GeO2/Ge降解、Ge钝化技术、GeO对GeO2/Ge的解吸动力学、GeO2结晶与GeO2/Ge界面反应，以及Ge的氧化动力学。基于对GeO2/Ge固有特性的发现，作者还将其与流行的SiO2/Si系统进行了比较，并论证了两者之间的本质区别，有助于GeO2/Ge的质量控制、工艺优化与技术进步。
 
     对于对电子材料、电容器物质物理、微电子工程和半导体感兴趣的研究人员、专业人士和学生而言，这将是一份有用的参考资料。
 
目录
 
1. 导论
2. 制造和表征方法
3. GeO2/Ge对GeO的解吸动力学
4. GeO2/Ge中的结构转变动力学
5. GeO2/Ge堆中的氧化
 
作者介绍
 
王盛凯，中国科学院微电子研究所教授，中科院青年创新促进会理事，多年来一直从事MOS技术中Ge、III-V、SiC的研究，发表论文100余篇，拥有授权专利40余项。